ईण्डीयुम एंटीमोनाइड InSb

विवरण

Iएनडियम एंटीमोनाइड इनएसबी, जिंक-मिश्रण जाली संरचना के साथ समूह III-V क्रिस्टलीय यौगिकों का एक अर्धचालक, 6N 7N उच्च शुद्धता वाले इंडियम और सुरमा तत्वों द्वारा संश्लेषित किया जाता है, और VGF विधि या लिक्विड एनकैप्सुलेटेड Czochralski LEC विधि द्वारा मल्टीपल ज़ोन रिफाइंड पॉलीक्रिस्टलाइन पिंड से एकल क्रिस्टल विकसित किया जाता है, जिसे काटा जा सकता है और वेफर में गढ़ा जा सकता है और बाद में ब्लॉक किया जा सकता है।InSb एक सीधा संक्रमण अर्धचालक है जिसमें कमरे के तापमान पर 0.17eV का एक संकीर्ण बैंड अंतराल, 1-5μm तरंग दैर्ध्य के लिए उच्च संवेदनशीलता और अल्ट्रा हाई हॉल गतिशीलता है।वेस्टर्न मिनमेटल्स (एससी) कॉर्पोरेशन में इंडियम एंटीमोनाइड इनएसबी एन-टाइप, पी-टाइप और सेमी-इन्सुलेट चालकता 1″ 2″ 3″ और 4” (30 मिमी, 50 मिमी, 75 मिमी, 100 मिमी) व्यास, अभिविन्यास < के आकार में पेश की जा सकती है। 111> या <100>, और कट, लैप्ड, नक़्क़ाशीदार और पॉलिश के वेफर सतह खत्म के साथ।Dia.50-80mm का इंडियम एंटीमोनाइड InSb लक्ष्य गैर-डोपेड n-प्रकार के साथ भी उपलब्ध है।इस बीच, पॉलीक्रिस्टलाइन इंडियम एंटीमोनाइड इनएसबी (मल्टीक्रिस्टल इनएसबी) अनियमित गांठ के आकार के साथ, या रिक्त (15-40) x (40-80) मिमी, और डी 30-80 मिमी के गोल बार को भी सही समाधान के अनुरोध पर अनुकूलित किया जाता है।

आवेदन पत्र

इंडियम एंटीमोनाइड इनएसबी कई अत्याधुनिक घटकों और उपकरणों के उत्पादन के लिए एक आदर्श सब्सट्रेट है, जैसे कि उन्नत थर्मल इमेजिंग समाधान, FLIR सिस्टम, हॉल तत्व और मैग्नेटोरेसिस्टेंस प्रभाव तत्व, इन्फ्रारेड होमिंग मिसाइल मार्गदर्शन प्रणाली, अत्यधिक प्रतिक्रियाशील इन्फ्रारेड फोटोडेटेक्टर सेंसर , उच्च परिशुद्धता चुंबकीय और रोटरी प्रतिरोधकता सेंसर, फोकल प्लानर सरणी, और एक टेराहर्ट्ज विकिरण स्रोत के रूप में और इन्फ्रारेड खगोलीय अंतरिक्ष दूरबीन आदि में भी अनुकूलित किया गया।