सीजेड सिलिकॉन वेफर

विवरण

सीजेड सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर Czochralski CZ विकास विधि द्वारा खींचे गए एकल क्रिस्टल सिलिकॉन पिंड से कटा हुआ है, जो कि अर्धचालक उपकरण बनाने के लिए इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग में उपयोग किए जाने वाले बड़े बेलनाकार सिल्लियों के सिलिकॉन क्रिस्टल विकास के लिए सबसे व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।इस प्रक्रिया में, सटीक अभिविन्यास सहिष्णुता के साथ क्रिस्टल सिलिकॉन का एक पतला बीज सिलिकॉन के पिघले हुए स्नान में पेश किया जाता है जिसका तापमान ठीक से नियंत्रित होता है।बीज क्रिस्टल धीरे-धीरे पिघल से बहुत नियंत्रित दर पर ऊपर की ओर खींचा जाता है, तरल चरण से परमाणुओं का क्रिस्टलीय जमना एक इंटरफ़ेस पर होता है, इस निकासी प्रक्रिया के दौरान बीज क्रिस्टल और क्रूसिबल को विपरीत दिशाओं में घुमाया जाता है, जिससे एक बड़ा एकल बनता है। क्रिस्टल सिलिकॉन बीज की सही क्रिस्टलीय संरचना के साथ।

मानक CZ पिंड खींचने के लिए लागू चुंबकीय क्षेत्र के लिए धन्यवाद, चुंबकीय-क्षेत्र-प्रेरित Czochralski MCZ सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन तुलनात्मक रूप से कम अशुद्धता एकाग्रता, कम ऑक्सीजन स्तर और अव्यवस्था, और समान प्रतिरोधकता भिन्नता है जो उच्च प्रौद्योगिकी इलेक्ट्रॉनिक घटकों और उपकरणों में अच्छा प्रदर्शन करता है। इलेक्ट्रॉनिक या फोटोवोल्टिक उद्योगों में निर्माण।

वितरण

वेस्टर्न मिनमेटल्स (एससी) कॉर्पोरेशन में सीजेड या एमसीजेड सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर एन-टाइप और पी-टाइप चालकता 2, 3, 4, 6, 8 और 12 इंच व्यास (50, 75, 100, 125) के आकार में वितरित की जा सकती है। 150, 200 और 300 मिमी), ओरिएंटेशन <100>, <110>, <111> लैप्ड, नक़्क़ाशीदार और पॉलिश किए गए फोम बॉक्स या कैसेट के पैकेज में बाहर कार्टन बॉक्स के साथ सतह खत्म के साथ।

अभी पूछताछ

विवरण

सीजेड सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफर एकीकृत सर्किट, डायोड, ट्रांजिस्टर, असतत घटकों के उत्पादन में मूल सामग्री है, जो सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और अर्धचालक उपकरणों में उपयोग की जाती है, साथ ही एपिटैक्सियल प्रोसेसिंग में सब्सट्रेट, SOI वेफर सब्सट्रेट या अर्ध-इन्सुलेटिंग कंपाउंड वेफर फैब्रिकेशन, विशेष रूप से बड़े 200 मिमी, 250 मिमी और 300 मिमी के व्यास अति उच्च एकीकृत उपकरणों के निर्माण के लिए इष्टतम हैं।सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन का उपयोग फोटोवोल्टिक उद्योग द्वारा बड़ी मात्रा में सौर कोशिकाओं के लिए भी किया जाता है, जो लगभग पूर्ण क्रिस्टल संरचना उच्चतम प्रकाश-से-विद्युत रूपांतरण दक्षता उत्पन्न करता है।

नहीं।	सामान	मानत विशिष्टताएँ
1	आकार	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	व्यास मिमी	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3	100 ± 0.5	150 ± 0.5	200 ± 0.5	300 ± 0.5
3	प्रवाहकत्त्व	पी या एन या अन-डोपेड
4	अभिविन्यास	<100>, <110>, <111>
5	मोटाई μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 या आवश्यकतानुसार
6	प्रतिरोधकता Ω-सेमी	0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 आदि
7	आरआरवी मैक्स	8%, 10%, 12%
8	प्राथमिक फ्लैट / लंबाई मिमी	SEMI मानक के रूप में या आवश्यकता के रूप में
9	माध्यमिक फ्लैट / लंबाई मिमी	SEMI मानक के रूप में या आवश्यकता के रूप में
10	टीटीवी सुक्ष्ममापी अधिकतम	10	10	10	10	10	10
11	धनुष और ताना माइक्रोन अधिकतम	30	30	30	30	30	30
12	सतह खत्म	अस-कट, एल/एल, पी/ई, पी/पी
13	पैकिंग	फोम बॉक्स या कैसेट अंदर, गत्ते का डिब्बा बाहर।

चिन्ह, प्रतीक	Si
परमाणु क्रमांक	14
परमाण्विक भार	28.09
तत्व श्रेणी	धातु के रूप-रंग का एक अधातु पदार्थ
समूह, अवधि, ब्लॉक	14, 3, पी
क्रिस्टल की संरचना	हीरा
रंग	अंधेरे भूरा
गलनांक	1414 डिग्री सेल्सियस, 1687.15 के
क्वथनांक	3265°C, 3538.15 K
300K . पर घनत्व	2.329 ग्राम/सेमी³
आंतरिक प्रतिरोधकता	3.2E5 -सेमी
सीएएस संख्या	7440-21-3
चुनाव आयोग संख्या	231-130-8

सीजेड या एमसीजेड सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉन वेफरवेस्टर्न मिनमेटल्स (एससी) कॉर्पोरेशन में एन-टाइप और पी-टाइप कंडक्टिविटी को 2, 3, 4, 6, 8 और 12 इंच व्यास (50, 75, 100, 125, 150, 200 और 300 मिमी) के आकार में वितरित किया जा सकता है। ओरिएंटेशन <100>, <110>, <111> के रूप में कट, लैप्ड, नक़्क़ाशीदार और फोम बॉक्स या कैसेट के पैकेज में बाहर कार्टन बॉक्स के साथ पॉलिश की सतह खत्म के साथ।