गैलियम आर्सेनाइड GaAs

विवरण

गैलियम आर्सेनाइडGaAs एक है ग्रुप III-V का डायरेक्ट बैंड गैप कंपाउंड सेमीकंडक्टर कम से कम 6N 7N उच्च शुद्धता गैलियम और आर्सेनिक तत्व द्वारा संश्लेषित, और उच्च शुद्धता पॉलीक्रिस्टलाइन गैलियम आर्सेनाइड, ग्रे रंग उपस्थिति, जिंक-मिश्रण संरचना वाले क्यूबिक क्रिस्टल से VGF या LEC प्रक्रिया द्वारा विकसित क्रिस्टल।क्रमशः एन-टाइप या पी-टाइप और सेमी-इन्सुलेट चालकता प्राप्त करने के लिए कार्बन, सिलिकॉन, टेल्यूरियम या जिंक के डोपिंग के साथ, एक बेलनाकार आईएनए क्रिस्टल को कटा हुआ और रिक्त और वेफर में कट, नक़्क़ाशीदार, पॉलिश या एपि में बनाया जा सकता है। एमबीई या एमओसीवीडी एपिटैक्सियल ग्रोथ के लिए तैयार।गैलियम आर्सेनाइड वेफर का उपयोग मुख्य रूप से इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों जैसे कि अवरक्त प्रकाश उत्सर्जक डायोड, लेजर डायोड, ऑप्टिकल विंडो, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर FETs, डिजिटल आईसी के रैखिक और सौर कोशिकाओं के निर्माण के लिए किया जाता है।GaAs घटक अल्ट्रा-हाई रेडियो फ्रीक्वेंसी और तेज़ इलेक्ट्रॉनिक स्विचिंग एप्लिकेशन, कमजोर-सिग्नल प्रवर्धन अनुप्रयोगों में उपयोगी होते हैं।इसके अलावा, गैलियम आर्सेनाइड सब्सट्रेट अपने संतृप्त हॉल गतिशीलता, उच्च शक्ति और तापमान स्थिरता के लिए ऑप्टिकल संचार और नियंत्रण प्रणालियों में आरएफ घटकों, माइक्रोवेव आवृत्ति और मोनोलिथिक आईसी, और एलईडी उपकरणों के निर्माण के लिए एक आदर्श सामग्री है।

वितरण

वेस्टर्न मिनमेटल्स (एससी) कॉरपोरेशन में गैलियम आर्सेनाइड GaAs को 2”3” 4” और 6” (50mm,) 75 मिमी, 100 मिमी, 150 मिमी) व्यास, पी-प्रकार, एन-प्रकार या अर्ध-इन्सुलेट चालकता, और <111> या <100> अभिविन्यास के साथ।अनुकूलित विनिर्देश दुनिया भर में हमारे ग्राहकों के लिए सही समाधान के लिए है।

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विवरण

गैलियम आर्सेनाइड GaAsवेफर्स का उपयोग मुख्य रूप से इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों जैसे इंफ्रारेड लाइट-एमिटिंग डायोड, लेजर डायोड, ऑप्टिकल विंडो, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर एफईटी, डिजिटल आईसी के रैखिक और सौर कोशिकाओं के निर्माण के लिए किया जाता है।GaAs घटक अल्ट्रा-हाई रेडियो फ्रीक्वेंसी और तेज़ इलेक्ट्रॉनिक स्विचिंग एप्लिकेशन, कमजोर-सिग्नल प्रवर्धन अनुप्रयोगों में उपयोगी होते हैं।इसके अलावा, गैलियम आर्सेनाइड सब्सट्रेट अपने संतृप्त हॉल गतिशीलता, उच्च शक्ति और तापमान स्थिरता के लिए ऑप्टिकल संचार और नियंत्रण प्रणालियों में आरएफ घटकों, माइक्रोवेव आवृत्ति और मोनोलिथिक आईसी, और एलईडी उपकरणों के निर्माण के लिए एक आदर्श सामग्री है।

नहीं।	सामान	मानत विशिष्टताएँ
1	आकार	2"	3"	4"	6"
2	व्यास मिमी	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3	100 ± 0.5	150 ± 0.5
3	विकास विधि	वीजीएफ	वीजीएफ	वीजीएफ	वीजीएफ
4	चालकता प्रकार	एन-टाइप/सी या टी-डॉप्ड, पी-टाइप/जेडएन-डॉप्ड, सेमी-इन्सुलेटिंग/अन-डॉप्ड
5	अभिविन्यास	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°
6	मोटाई μm	350 ± 25	625 ± 25	625 ± 25	650 ± 25
7	ओरिएंटेशन फ्लैट मिमी	17 ± 1	22 ± 1	32 ± 1	निशान
8	पहचान फ्लैट मिमी	7 ± 1	12 ± 1	18 ± 1	-
9	प्रतिरोधकता Ω-सेमी	(1-9)ई(-3) पी-टाइप या एन-टाइप के लिए, (1-10)ई8 सेमी-इन्सुलेटिंग के लिए
10	गतिशीलता सेमी2/बनाम	पी-टाइप के लिए 50-120, एन-टाइप के लिए (1-2.5) ई3, सेमी-इंसुलेटिंग के लिए ≥4000
11	कैरियर एकाग्रता सेमी-3	(5-50)ई18 पी-टाइप के लिए, (0.8-4)ई18 एन-टाइप के लिए
12	टीटीवी सुक्ष्ममापी अधिकतम	10	10	10	10
13	धनुष सुक्ष्ममापी अधिकतम	30	30	30	30
14	ताना सुक्ष्ममापी अधिकतम	30	30	30	30
15	ईपीडी सेमी-2	5000	5000	5000	5000
16	सतह खत्म	पी/ई, पी/पी	पी/ई, पी/पी	पी/ई, पी/पी	पी/ई, पी/पी
17	पैकिंग	एल्यूमीनियम मिश्रित बैग में सील सिंगल वेफर कंटेनर।
18	टिप्पणियां	यांत्रिक ग्रेड GaAs वेफर भी अनुरोध पर उपलब्ध है।

रैखिक सूत्र	GaAs
आणविक वजन	144.64
क्रिस्टल की संरचना	जिंक ब्लेंड
दिखावट	ग्रे क्रिस्टलीय ठोस
गलनांक	1400 डिग्री सेल्सियस, 2550 डिग्री फारेनहाइट
क्वथनांक	एन/ए
300K . पर घनत्व	5.32 ग्राम/सेमी³
ऊर्जा अंतर	1.424 ईवी
आंतरिक प्रतिरोधकता	3.3E8 -सेमी
सीएएस संख्या	1303-00-0
चुनाव आयोग संख्या	215-114-8

गैलियम आर्सेनाइड GaAsवेस्टर्न मिनमेटल्स (एससी) कॉरपोरेशन में पॉलीक्रिस्टलाइन गांठ या सिंगल क्रिस्टल वेफर के रूप में 2 "3" 4 "और 6" (50 मिमी, 75 मिमी, 100 मिमी) के आकार में कट, नक़्क़ाशीदार, पॉलिश या एपि-रेडी वेफर के रूप में आपूर्ति की जा सकती है। , 150 मिमी) व्यास, पी-प्रकार, एन-प्रकार या अर्ध-इन्सुलेट चालकता, और <111> या <100> अभिविन्यास के साथ।अनुकूलित विनिर्देश दुनिया भर में हमारे ग्राहकों के लिए सही समाधान के लिए है।